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雙極型晶體管的特點
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輸入特性曲線:描述了在管壓降UCE一定的情況下，基極電流iB與發射結壓降uBE之間的關系稱為輸入伏安特性，可表示為: 硅管的開啟電壓約為0.7V，鍺管的開啟電壓約為0.3V。
輸出特性曲線:描述基極電流IB為一常量時，集電極電流iC與管壓降uCE之間的函數關系?？杀硎緸?
雙極型晶體管輸出特性可分為三個區
★截止區:發射結和集電結均為反向偏置。IE@0，IC@0，UCE@EC，管子失去放大能力。如果把三極管當作一個開關，這個狀態相當于斷開狀態。
★飽和區:發射結和集電結均為正向偏置。在飽和區IC不受IB的控制，管子失去放大作用，UCE@0，IC=EC/RC，把三極管當作一個開關，這時開關處于閉合狀態。
★放大區:發射結正偏，集電結反偏。
放大區的特點是:
◆IC受IB的控制，與UCE的大小幾乎無關。因此三極管是一個受電流IB控制的電流源。
◆特性曲線平坦部分之間的間隔大小，反映基極電流IB對集電極電流IC控制能力的大小，間隔越大表示管子電流放大系數b越大。
◆伏安特性最低的那條線為IB=0，表示基極開路，IC很小，此時的IC就是穿透電流ICEO。
◆在放大區電流電壓關系為:UCE=EC-ICRC, IC=βIB
◆在放大區管子可等效為一個可變直流電阻。
極間反向電流:是少數載流子漂移運動的結果。
集電極-基極反向飽和電流ICBO :是集電結的反向電流。
集電極-發射極反向飽和電流ICEO :它是穿透電流。
ICEO與CBO的關系:
特征頻率 :由于晶體管中PN結結電容的存在，晶體管的交流電流放大系數會隨工作頻率的升高而下降，當 的數值下降到1時的信號頻率稱為特征頻率 。
可控硅概述
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